Предназначены для массового производства периодических структур на поверхности полупроводниковых и интегрально-оптических элементов. Данный тип масок предназначен для работы в 0/-1 порядках дифракции и обеспечивает уменьшенную величину периода (вплоть до 200 нм).item.thmb26

Области применения

  • полупроводниковые лазеры;
  • интегрально-оптические устройства;
  • сенсоры;
  • биочипы.

Технические характеристики*NFH Phase masks 1

Параметр

Значение

Период маски, нм 200 ÷ 600
Длина волны облучения, нм 193 ÷ 435
Материал кварцевое стекло
Точность периода, нм ± 0.01
Однородность периода, нм ± 0.01
Контраст интерференционной картины, % > 98
Размер маски/подложки Ø2"/3" х 3" х 2мм

 * некоторые другие параметры приведены на сайте Ibsen Photonics

 

   
© НЦВО - Фотоника